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MOSFET Vishay, canale P, 2,6 mΩ, 195 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1884884
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIRA99DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = P
Corrente massima continuativa di drain = 195 A
Tensione massima drain source = 30 V
Tipo di package = PowerPAK SO-8
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 2,6 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.5V
Tensione di soglia gate minima = 1V
Dissipazione di potenza massima = 104 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = -20 V, +16 V.
Larghezza = 5mm
Altezza = 1.07mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
195 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
PowerPAK SO-8
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
2,6 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
104 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +16 V.
Lunghezza:
5.99mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, 1884884, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIRA99DPT1GE3
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