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Transistor a effetto campo
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Articolo
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-IRL3705ZSTRLPBF
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IRL3705ZSTRLPBF
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio:
SMD
Corpo:
D2PAK
Tensione drenaggio-fonte:
55V
Corrente di drenaggio:
86A
Tipo del transistor:
N-MOSFET
Potenza dissipata:
130W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori:
logic level
Tecnologia:
HEXFET®
Genere di canale:
arricchito
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo N
>
Transistori con canale N SMD
Altri termini di ricerca:
MOSFET di potenza
,
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
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Immagine
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Simile
MOSFET Infineon, canale N, 0,0065 Ω, 110 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
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Simile
MOSFET Infineon, canale N, 7,5 mΩ, 94 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
Infineon
IRF1010ZSTRLPBF
a partire da € 0,744*
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