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Transistor a effetto campo
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Articolo
MOSFET Infineon, canale N, 0,0065 Ω, 110 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
3369E-2224734
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IRF3205ZSTRLPBF
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET®, noti anche come transistor MOSFET, sta per transistor a effetto di campo di metallo ossido semiconduttore. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Effetto campo”; vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.Advanced Process Technology Commutazione rapida a bassissima resistenza in stato attivo Senza piombo, Conformità RoHS
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
110 A
Tensione massima drain source:
55 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,0065 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
MOSFET di potenza
,
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
,
2224734
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
Infineon
,
IRF3205ZSTRLPBF
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