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MOSFET Infineon, canale N, 0,0065 Ω, 110 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2224734
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF3205ZSTRLPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET®, noti anche come transistor MOSFET, sta per transistor a effetto di campo di metallo ossido semiconduttore. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “;Effetto campo”; vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.Advanced Process Technology Commutazione rapida a bassissima resistenza in stato attivo Senza piombo, Conformità RoHS
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
110 A
Tensione massima drain source:
55 V
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,0065 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 2224734, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF3205ZSTRLPBF
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