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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 21A; 2,7W; PQFN3.3X3.3


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 21A; 2,7W; PQFN3.3X3.3
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 21A; 2,7W; PQFN3.3X3.3
N. Articolo:
     5068-IRFHM830TRPBF
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFHM830TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: SMD
Corpo: PQFN3.3X3.3
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 21A
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 2,7W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: bobina
Tecnologia: HEXFET®
Genere di canale: arricchito
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