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MOSFET Infineon, canale N, 21 A, PQFN 3,3 mm x 3,3 mm, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-2579388
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFHM830TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 21 A
Tensione massima drain source = 30 V
Tipo di package = PQFN 3,3 mm x 3,3 mm
Tipo di montaggio = Su foro
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
21 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
PQFN 3,3 mm x 3,3 mm
Tipo di montaggio:
Su foro
Altri termini di ricerca: FET di giunzione, Transistor, MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 2579388, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRFHM830TRPBF
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