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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 100A; 170W; TO220AB


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 100A; 170W; TO220AB
N. Articolo:
     5068-IRF1104PBF
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF1104PBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 100A
Resistenza nello stato di conduzione: 9mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 170W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 62nC
Tecnologia: HEXFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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