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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 100A; Idm: 545A; 148W


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 100A; Idm: 545A; 148W
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 100A; Idm: 545A; 148W
N. Articolo:
     5068-PSMN4R5-40PS.127
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN4R5-40PS,127
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB;SOT78
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 100A
Resistenza nello stato di conduzione: 3,9mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 148W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 42,3nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 545A
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