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MOSFET Infineon, canale N, 0,0035 Ω, 21 A, SO-8, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2152587
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF8734TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
La serie di MOSFET di potenza Infineon HEXFET ha una tensione di sorgente di drain massima di 30V in un contenitore SO-8. È dotato di unapplicazione come MOSFET sincrono per il processore per notebook MOSFET di potenza e raddrizzatore sincrono per convertitori c.c.-c.c. isolati in sistemi di rete.Bassa carica di gate Tensione con effetto valanga completamente caratterizzato e corrente Testato al 100% per RG Senza piombo
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
21 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SO-8
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,0035 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.35V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, transistor a effetto campo, 2152587, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF8734TRPBF
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