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MOSFET Infineon, canale N, 0,0036 Ω, 21 A, SO-8, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-2152584
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF7831TRPBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
La serie di MOSFET di potenza Infineon HEXFET ha una tensione di sorgente di drain massima di 30V in un contenitore SO-8. È dotato di convertitore buck sincrono point-of-load ad alta frequenza per applicazioni in reti e sistemi informatici.Conformità RoHS Qualità leader del settore Bassa resistenza RDS(ON) a 4,5 V VGS Tensione con effetto valanga completamente caratterizzato e corrente Bassissima impedenza gate
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
21 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SO-8
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
0,0036 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.35V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Si
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, 2152584, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF7831TRPBF
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