wolfspeed  (172 offerte tra 5.643.941 articoli)

Diodi Schottky in carburo di silicio Z-Rec™, Wolfspeed. Una gamma di diodi Schottky SiC (carburo di silicio) che offre miglioramenti significativi rispetto ai normali diodi a barriera Schottky. I d...

Diodi Schottky in carburo di silicio Z-Rec™, Wolfspeed. Una gamma di diodi Schottky SiC (carburo di silicio) che offre miglioramenti significativi rispetto ai normali diodi a barriera Schottky. I d...

Diodi Schottky in carburo di silicio Z-Rec™, Wolfspeed. Una gamma di diodi Schottky SiC (carburo di silicio) che offre miglioramenti significativi rispetto ai normali diodi a barriera Schottky. I d...

Diodi Schottky in carburo di silicio Z-Rec™, Wolfspeed. Una gamma di diodi Schottky SiC (carburo di silicio) che offre miglioramenti significativi rispetto ai normali diodi a barriera Schottky. I d...

MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed. MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ ; C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la di...

MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed. MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ ; C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la di...

Wolfspeed introduce la sua ultima innovazione nella tecnologia dei dispositivi di potenza SiC: La prima piattaforma MOSFET a 900 V. Ottimizzata per applicazioni di elettronica di potenza ad alta fr...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 22 A Tensione massima drain source = 1000 V Serie = C3M Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 7 Resistenza massima drai...

16mΩ RDS(ON) leader del settore 1200V VBR (minimo) su tutta la gamma di temperature desercizio [-40˚C – 175˚C] Tensione di comando gate +15V Contenitore a bassa impedenza con pin sorgente Kelvin >8...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 11 A Tensione massima drain source = 900 V Tipo di package = TO-263-7 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 7 Resistenz...

MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed. MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ ; C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la di...

Minimo di 900V Vbr per lintera gamma di temperature di esercizio Nuovo contenitore a bassa impedenza con sorgente driver >8mm di dispersione/gioco tra scarico e sorgente Commutazione ad alta veloci...

1200V VBR (minimo) su tutta la gamma di temperature desercizio [-40˚C – 175˚C] Tensione di comando gate +15V Contenitore a bassa impedenza con pin sorgente Kelvin >8mm di dispersione/gioco tra scar...

MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed. MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ ; C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la di...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 30 A Tensione massima drain source = 1200 V Tipo di package = TO-247-4 Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 4 Resistenza massima drai...