wolfspeed  (172 offerte tra 5.643.777 articoli)

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 53 A Tensione massima drain source = 1200 V Tipo di montaggio = Montaggio a telaio

Wolfspeed introduce la sua più recente innovazione per quanto riguarda la tecnologia dei dispositivi di potenza SiC con l’unico MOSFET SiC a 1 kV del settore in un nuovo contenitore ottimizzato ada...

Produttore: Wolfspeed(CREE) Montaggio: THT Corpo: TO220-2 Tensione invertita max.: 650V Corrente di conduzione: 4A Struttura del semiconduttore: diodo singolo Potenza dissipata: 52W Tipo di diodi: ...

Tensione massima drain source = 1200 V Resistenza massima drain source = 4,6 mΩ Tensione di soglia gate massima = 3.6V Tensione di soglia gate minima = 1.8V Dissipazione di potenza massima = 50 mW ...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 64 A Tensione massima drain source = 1200 V Tipo di package = TO-263-7 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 7 Numero d...

MOSFET di potenza in carburo di silicio Wolfspeed. MOSFET di potenza in carburo di silicio Z-Fet™, C2M™ ; C3M™ Wolfspeed. Una gamma di MOSFET SiC di seconda generazione prodotta da Wolfspeed, la di...

Produttore: Wolfspeed(CREE) Montaggio: THT Corpo: TO247-3 Tensione invertita max.: 0,6kV Corrente di conduzione: 8A x2 Struttura del semiconduttore: catodo comune;doppia Potenza dissipata: 100W Tip...

Moduli di potenza MOSFET in carburo di silicio Wolfspeed. Moduli di potenza MOSFET al carburo di silicio da Wolfspeed, la divisione di potenza di Cree Inc. Questi moduli SiC MOSFET sono alloggiati ...

Produttore: Wolfspeed(CREE) Montaggio: THT Corpo: TO220-2 Tensione invertita max.: 650V Corrente di conduzione: 6A Struttura del semiconduttore: diodo singolo Potenza dissipata: 100W Tipo di diodi:...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 36 A Tensione massima drain source = 650 V Tipo di package = TO-263-7 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 7 Numero di...

MOSFET di potenza al carburo di silicio, serie C3M, Cree Inc. Nuova tecnologia MOSFET al carburo di silicio (SiC) C3M Minimo di 1000 V di tensione di scarica distruttiva drain-source su tutta la ga...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 22 A Tensione massima drain source = 900 V Tipo di package = TO-263-7 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 7 Resistenz...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 37 A Tensione massima drain source = 650 V Tipo di package = TO-247-4 Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 4 Numero di elementi per c...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 30 A Tensione massima drain source = 1200 V Tipo di package = TO-247 Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 3 Resistenza massima drain ...

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 63 A Tensione massima drain source = 900 V Tipo di package = TO-247-4 Tipo di montaggio = Su foro Numero pin = 4 Resistenza massima drain...