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  Transistor di potenza  (27.863 offerte tra 5.581.968 articoli)

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Transistor MOSFET onsemi, canale P, 10 Ω, 127 ma, xDFN3 (1 offerta) 
Il MOSFET di potenza a canale N singolo on Semiconductor è in funzione con -127 milliampere e -20 Volt. Può essere utilizzato in interruttori di distribuzione di carico a piccolo segnale, interfacc...
onsemi
NTNS2K1P021ZTCG
a partire da € 1.137,28*
per 8.000 pezzi
 
 pacchetto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 200A; 830W; PLUS247™ (1 offerta) 
Produttore: IXYS Montaggio: THT Corpo: PLUS247™ Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 200A Resistenza nello stato di conduzione: 7,5mΩ Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza dissipat...
IXYS
IXFX200N10P
a partire da € 10,19*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 2 O, 4 A, IPAK (TO-251), Su foro (1 offerta) 
Il modello Infineon IPU95R2K0P7, progettato per soddisfare le crescenti esigenze dei consumatori nel settore dei MOSFET ad alta tensione, la più recente tecnologia 950V Cool MOS P7 è incentrata sul...
Infineon
IPU95R2K0P7AKMA1
a partire da € 0,677*
per pezzo
 
 pezzi
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 17A; 14W; DFN5x6 (1 offerta) 
Produttore: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaggio: SMD Corpo: DFN5x6 Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 17A Resistenza nello stato di conduzione: 43mΩ Tipo del transistor: N-MOSF...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6452
a partire da € 0,66*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 215 mΩ, 15 A, PowerFLAT 8 x 8 HV, Montaggio superficiale (2 offerte) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 15 A Tensione massima drain source = 600 V Tipo di package = PowerFLAT 8 x 8 HV Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 5...
ST Microelectronics
STL26N60DM6
a partire da € 1,717*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale P, 0,0041 O, 90 A, TO-252, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Infineon offre unampia gamma di MOSFET di potenza per uso automobilistico a canale P in contenitori DPAK, D2PAK, TO220, TO262 e SO8 con la tecnologia OptiMOS -P2 e Gen5.Canale P - livello di logica...
Infineon
IPD90P03P4L04ATMA2
a partire da € 1,322*
per pezzo
 
 pezzi
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 12A; 310W; TO220AB (1 offerta) 
Produttore: ONSEMI Montaggio: THT Corpo: TO220AB Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 12A Resistenza nello stato di conduzione: 22mΩ Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza dissipata...
onsemi
FDP3632
a partire da € 2,11*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 280 mΩ, 13 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (1 offerta) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 13 A Tipo di package = D2PAK (TO-263) Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima drain source = 280 mΩ ...
ST Microelectronics
STB18N60M6
a partire da € 1.114,35*
per 1.000 pezzi
 
 pacchetto
Transistor MOSFET onsemi, canale N, 0,028 Ω, 84 A, TO-247-4, Su foro (1 offerta) 
Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 102 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in gruppi di continuità, convertitore c.c./c.c., inverter boost.Resistenza alla...
onsemi
NTH4L020N120SC1
a partire da € 22,231*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns (1 offerta) 
Produttore: IXYS Montaggio: SMD Corpo: TO263 Tempo di prontitudine: 72ns Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 180A Resistenza nello stato di conduzione: 6,4mΩ Tipo del transistor: ...
IXYS
IXTA180N10T
a partire da € 2,91*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns (1 offerta) 
Produttore: IXYS Montaggio: THT Corpo: TO220AB Tempo di prontitudine: 67ns Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 130A Resistenza nello stato di conduzione: 9,1mΩ Tipo del transistor...
IXYS
IXTP130N10T
a partire da € 1,80*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 40 mΩ, 53 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (1 offerta) 
Questo dispositivo è un MOSFET di potenza a canale N basato sullinnovativa tecnologia di processo verticale MDmesh™ M5 combinata con il ben noto layout orizzontale PowerMESH™. Il prodotto risultant...
ST Microelectronics
STB45N30M5
a partire da € 3.341,16*
per 1.000 pezzi
 
 pacchetto
Transistor MOSFET onsemi, canale N, 0,04 Ω, 60 A, TO-247, Su foro (1 offerta) 
Il MOSFET di potenza al carburo di silicio ON Semiconductor è dotato di 60 Ampere e 1200 Volt. Può essere utilizzato in applicazioni automobilistiche di ricarica a bordo scheda, convertitori CC/CC....
onsemi
NVHL040N120SC1
a partire da € 30,635*
per pezzo
 
 pezzi
Transistor Digitale onsemi, 3 Pin, SOT-23, Montaggio superficiale (1 offerta) 
MOSFET di potenza per automobili. -60 V, 230 mOhm, singolo livello logico a canale P, SOT-23. MOSFET e capacità PPAP adatti per applicazioni nel settore automobilistico. .Tecnologia trench Capacità...
onsemi
NVR5124PLT1G
a partire da € 370,83*
per 3.000 pezzi
 
 pacchetto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 130A; 360W; TO263 (1 offerta) 
Produttore: IXYS Montaggio: SMD Corpo: TO263 Tensione drenaggio-fonte: 100V Corrente di drenaggio: 130A Resistenza nello stato di conduzione: 10,1mΩ Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza dissipata:...
IXYS
IXFA130N10T2
a partire da € 2,59*
per pezzo
 
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