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Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 215 mΩ, 15 A, PowerFLAT 8 x 8 HV, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1924658
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STL26N60DM6
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 15 A
Tensione massima drain source = 600 V
Tipo di package = PowerFLAT 8 x 8 HV
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 5
Resistenza massima drain source = 215 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4.75V
Tensione di soglia gate minima = 3.25V
Dissipazione di potenza massima = 110 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±25 V
Massima temperatura operativa = +150 °Cmm
Altezza = 0.9mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
15 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
PowerFLAT 8 x 8 HV
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
5
Resistenza massima drain source:
215 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.75V
Tensione di soglia gate minima:
3.25V
Dissipazione di potenza massima:
110 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±25 V
Lunghezza:
8.1mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 1924658, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STL26N60DM6
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