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  MOSFET  (23.817 offerte tra 5.608.341 articoli)

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MOSFET Infineon, canale N, 0,012 Ω, 84 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (1 offerta) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 84 A Tensione massima drain source = 60 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dra...
Infineon
IRF1010ESTRLPBF
a partire da € 0,89*
per pezzo
 
 pezzi
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns (1 offerta) 
Produttore: IXYS Montaggio: SMD Corpo: TO263 Tempo di prontitudine: 118ns Tensione drenaggio-fonte: 200V Corrente di drenaggio: 60A Resistenza nello stato di conduzione: 40mΩ Tipo del transistor: N...
IXYS
IXTA60N20T
a partire da € 2,84*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 31A; 200W; D2PAK (1 offerta) 
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES Montaggio: SMD Corpo: D2PAK Tensione drenaggio-fonte: 200V Corrente di drenaggio: 31A Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza dissipata: 200W Polarizzazione: unipola...
Infineon
IRFS31N20DTRLP
a partire da € 4,10*
per 5 pezzi
 
 pacchetti
MOSFET Infineon, canale N, 0,0134 Ω, 10 A, SO-8, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 10 A Tensione massima drain source = 20 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 8 Resistenza massima dra...
Infineon
IRF8910TRPBF
a partire da € 0,503*
per pezzo
 
 pezzi
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 5,7A; Idm: 36A; 74W (1 offerta) 
Produttore: VISHAY Montaggio: SMD Corpo: D2PAK;TO263 Tensione drenaggio-fonte: 200V Corrente di drenaggio: 5,7A Resistenza nello stato di conduzione: 0,4Ω Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza diss...
Vishay
IRF630SPBF
a partire da € 0,51*
per pezzo
 
 pezzo
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 3,6A; Idm: 20A; 70W; DPAK (1 offerta) 
Produttore: ONSEMI Montaggio: SMD Corpo: DPAK Tensione drenaggio-fonte: 200V Corrente di drenaggio: 3,6A Resistenza nello stato di conduzione: 275mΩ Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza dissipata:...
onsemi
FDD2670
a partire da € 0,90*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET Infineon, canale N, 0,0127 Ω, 50 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale (1 offerta) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 50 A Tensione massima drain source = 55 V Tipo di package = DPAK (TO-252) Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resis...
Infineon
IPD50N06S2L13ATMA2
a partire da € 0,864*
per pezzo
 
 pezzi
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 60A; 540W; TO247-3; 330ns (1 offerta) 
Produttore: IXYS Montaggio: THT Corpo: TO247-3 Tempo di prontitudine: 330ns Tensione drenaggio-fonte: 200V Corrente di drenaggio: 60A Resistenza nello stato di conduzione: 45mΩ Tipo del transistor:...
IXYS
IXTH60N20L2
a partire da € 12,06*
per pezzo
 
 pezzo
Infineon IPI320N20N3 G transistor 200 V (1 offerta)
Infineon
IPI320N20N3GAKSA1
a partire da € 1,18*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET Infineon, canale N, 0,0135 Ω, 45 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale (1 offerta) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 45 A Tensione massima drain source = 80 V Serie = OptiMOS(TM)3 Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massi...
Infineon
IPD135N08N3GATMA1
a partire da € 0,546*
per pezzo
 
 pezzi
MOSFET Infineon, canale N, 0,013 Ω, 40 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale (1 offerta) 
Il livello normale del canale n Infineon ha una temperatura desercizio di 175 °C e testato con effetto valanga al 100%. Accanto ad altri, viene utilizzato nelle applicazioni relative allilluminazio...
Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1
a partire da € 0,67*
per pezzo
 
 pezzi
MOSFET Infineon, canale N, 0,0136 Ω, 51 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (1 offerta) 
Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 51 A Tensione massima drain source = 55 V Serie = HEXFET Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resistenza massima dra...
Infineon
IRFZ46ZSTRLPBF
a partire da € 0,993*
per pezzo
 
 pezzi
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 200V; 33A; 357W; TO220AB (1 offerta) 
Produttore: ONSEMI Montaggio: THT Corpo: TO220AB Tensione drenaggio-fonte: 200V Corrente di drenaggio: 33A Resistenza nello stato di conduzione: 49mΩ Tipo del transistor: N-MOSFET Potenza dissipata...
onsemi
FDP52N20
a partire da € 1,25*
per pezzo
 
 pezzo
MOSFET Infineon, canale N, 0,0132 Ω, 50 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale (1 offerta) 
Il MOSFET Infineon a canale N ha una temperatura desercizio di 175 °C e testato con effetto valanga al 100%.È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC Q101
Infineon
IPD50N08S413ATMA1
a partire da € 0,828*
per pezzo
 
 pezzi
Infineon IRF6641 transistor 200 V (1 offerta)
Infineon
IRF6641TRPBF
a partire da € 8.406,336*
per 4.800 pezzi
 
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