Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-2152590 N. Art. Produtt.:
IRF8910TRPBF EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 10 A
Tensione massima drain source = 20 V
Serie = HEXFET
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 0,0134 Ω
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.55V
Numero di elementi per chip = 1 Altre informazioni: | | Tipo di canale: | N | Corrente massima continuativa di drain: | 10 A | Tensione massima drain source: | 20 V | Tipo di package: | SO-8 | Serie: | HEXFET | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Numero pin: | 8 | Resistenza massima drain source: | 0,0134 Ω | Modalità del canale: | Enhancement | Tensione di soglia gate massima: | 2.55V | Numero di elementi per chip: | 1 | Materiale del transistor: | Si |
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