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Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolare; 650V; 8A; 150W; TO252 (1 offerta)

Produttore: IXYS Montaggio: SMD Corpo: TO252 Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 650V Corrente di drenaggio: 8A Resistenza nello stato di conduzione: 0,5Ω Tipo del transistor: N-...

IXYS

IXTY8N65X2

a partire da € 1,39*
per pezzo

Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -20V; -6A; 1,6W; SO8 (2 offerte)

Produttore: ONSEMI Montaggio: SMD Corpo: SO8 Tensione drenaggio-fonte: -20V Corrente di drenaggio: -6A Resistenza nello stato di conduzione: 48mΩ Tipo del transistor: P-MOSFET x2 Potenza dissipata:...

onsemi

FDS6875

a partire da € 0,537*
per pezzo

MOSFET STMicroelectronics, canale P, 34 mΩ, 42 A, PowerFLAT 5 x 6, Montaggio superficiale (2 offerte)

MOSFET di potenza STripFET™ a canale P, STMicroelectronics. I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

ST Microelectronics

STL42P6LLF6

a partire da € 0,68*
per pezzo

Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -50V; -0,13A; 0,3W; SOT363 (1 offerta)

Produttore: DIODES INCORPORATED Montaggio: SMD Corpo: SOT363 Tensione drenaggio-fonte: -50V Corrente di drenaggio: -130mA Resistenza nello stato di conduzione: 10Ω Tipo del transistor: P-MOSFET x2 ...

Diodes

BSS84DW-7-F

a partire da € 0,0828*
per pezzo

Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -60V; -2,7A; Idm: -24A; 1,2W (1 offerta)

Produttore: DIODES INCORPORATED Montaggio: SMD Corpo: SO8 Tensione drenaggio-fonte: -60V Corrente di drenaggio: -2,7A Resistenza nello stato di conduzione: 0,105Ω Tipo del transistor: P-MOSFET x2 P...

Diodes

DMP6110SSD-13

a partire da € 0,176*
per pezzo

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 400 mΩ, 11 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (1 offerta)

MDmesh™ a canale N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STB11NM80T4

a partire da € 3.646,90*
per 1.000 pezzi

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolare; -200V; -26A; 300W; TO263 (1 offerta)

Produttore: IXYS Montaggio: SMD Corpo: TO263 Tempo di prontitudine: 240ns Tensione drenaggio-fonte: -200V Corrente di drenaggio: -26A Resistenza nello stato di conduzione: 0,17Ω Tipo del transistor...

IXYS

IXTA26P20P

a partire da € 3,94*
per pezzo

Transistor: N/P-MOSFET; unipolare; coppia complementare; 30/-30V (1 offerta)

Produttore: DIODES INCORPORATED Montaggio: SMD Corpo: SO8 Tensione drenaggio-fonte: 30/-30V Corrente di drenaggio: 5,5/-8,5A Resistenza nello stato di conduzione: 0,02/0,045Ω Tipo del transistor: N...

Diodes

DMC3025LSD-13

a partire da € 0,137*
per pezzo

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 9 A, M250, Montaggio superficiale (1 offerta)

Transistor MOSFET RF, STMicroelectronics. I transistor a radio frequenza sono LDMOS adatti per uplink satellitari in banda L e transistor di potenza DMOS in applicazioni che vanno da 1 MHz a 2 GHz.

ST Microelectronics

LET9045F

a partire da € 3.085,09*
per 25 pezzi

MOSFET Texas Instruments, canale P, 2,9 A, PICOSTAR, Montaggio superficiale (3 offerte)

Tipo di canale = P Corrente massima continuativa di drain = 2,9 A Tensione massima drain source = -12 V Tipo di package = PICOSTAR Tipo di montaggio = Montaggio superficiale

Texas Instruments

CSD23280F3T

a partire da € 0,374*
per pezzo

Transistor: N/P-MOSFET; unipolare; coppia complementare; 20/-20V (1 offerta)

Produttore: DIODES INCORPORATED Montaggio: SMD Corpo: SO8 Tensione drenaggio-fonte: 20/-20V Corrente di drenaggio: 6,3/-7,8A Resistenza nello stato di conduzione: 0,02/0,033Ω Tipo del transistor: N...

Diodes

DMC2020USD-13

a partire da € 0,28*
per pezzo

MOSFET Toshiba, canale N, 109 mΩ, 30,8 A, DFN, Montaggio superficiale (1 offerta)

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 30,8 A Tensione massima drain source = 600 V Tipo di package = DFN Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 5 Resistenza m...

Toshiba

TK31V60W5

a partire da € 7.797,875*
per 2.500 pezzi

MOSFET Texas Instruments, canale N, 14 A, VSON-CLIP, Montaggio superficiale (2 offerte)

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 14 A Tensione massima drain source = 30 V Tipo di package = VSON-CLIP Tipo di montaggio = Montaggio superficiale

Texas Instruments

CSD17308Q3T

a partire da € 0,464*
per pezzo

Transistor: N/P-MOSFET; unipolare; coppia complementare; 20/-20V (1 offerta)

Produttore: DIODES INCORPORATED Montaggio: SMD Corpo: SOT563 Tensione drenaggio-fonte: 20/-20V Corrente di drenaggio: 0,53/-0,67A Resistenza nello stato di conduzione: 0,55/0,9Ω Tipo del transistor...

Diodes

DMC2004VK-7

a partire da € 0,124*
per pezzo

Transistor: N/P-MOSFET; unipolare; coppia complementare; 40/-40V (1 offerta)

Produttore: DIODES INCORPORATED Montaggio: SMD Corpo: SO8 Tensione drenaggio-fonte: 40/-40V Corrente di drenaggio: 6,5/-9A Resistenza nello stato di conduzione: 0,024/0,045Ω Tipo del transistor: N/...

Diodes

DMC4029SSD-13

a partire da € 0,271*
per pezzo

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