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MOSFET Semelab, canale N, 5 A, DP, Montaggio a vite (1 offerta)

Transistor MOSFET RF, Semelab

Semelab

D1013UK

a partire da € 1.026,12*
per 25 pezzi

MOSFET Semelab, canale N, 2 A, SOIC, Montaggio superficiale (1 offerta)

Transistor MOSFET RF, Semelab

Semelab

D2219UK

a partire da € 1.193,39*
per 50 pezzi

MOSFET Semelab, canale N, 30 A, Capacità, Montaggio a vite (1 offerta)

Transistor MOSFET RF, Semelab

Semelab

D1017UK

a partire da € 1.626,59*
per 25 pezzi

MOSFET Semelab, canale N, 35 A, DR, Montaggio a vite (1 offerta)

Transistor MOSFET RF, Semelab

Semelab

D1029UK

a partire da € 4.335,22*
per 20 pezzi

Infineon BSD235C transistor 20 V (3 offerte)

Infineon

BSD235CH6327XTSA1

a partire da € 0,0759*
per pezzo

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1 Ω, 5 A, IPAK (TO-251), Su foro (1 offerta)

MDmesh™ è una nuova rivoluzionaria tecnologia MOSFET di potenza che associa il processo di drain multiplo al layout orizzontale PowerMESH™ dellazienda. Il prodotto risultante ha una straordinaria b...

ST Microelectronics

STD5NM60T4

a partire da € 2.260,425*
per 2.500 pezzi

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 350 mΩ, 12 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (1 offerta)

MDmesh™ è una nuova rivoluzionaria tecnologia MOSFET che associa il processo Di Drain Multiplo al layout orizzontale PowerMESH™della società. Il prodotto risultante ha una straordinaria bassa resis...

ST Microelectronics

STB12NM50T4

a partire da € 1.134,73*
per 1.000 pezzi

Transistor: N/P-MOSFET; unipolare; coppia complementare; 20/-20V (1 offerta)

Produttore: DIODES INCORPORATED Montaggio: SMD Corpo: SOT563 Tensione drenaggio-fonte: 20/-20V Corrente di drenaggio: 0,087/-0,064A Resistenza nello stato di conduzione: 0,4/0,7Ω Tipo del transisto...

Diodes

DMG1016VQ-7

a partire da € 0,122*
per pezzo

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 6,5 mΩ, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale (1 offerta)

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 80 A Tensione massima drain source = 55 V Tipo di package = D2PAK (TO-263) Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3 Resi...

ST Microelectronics

STB80NF55-06T4

a partire da € 1.499,63*
per 1.000 pezzi

Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolare; 650V; 8A; 150W; TO263 (1 offerta)

Produttore: IXYS Montaggio: SMD Corpo: TO263 Tempo di prontitudine: 200ns Tensione drenaggio-fonte: 650V Corrente di drenaggio: 8A Resistenza nello stato di conduzione: 0,5Ω Tipo del transistor: N-...

IXYS

IXTA8N65X2

a partire da € 1,55*
per pezzo

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 80 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale (1 offerta)

Tipo di canale = N Corrente massima continuativa di drain = 80 A Tensione massima drain source = 30 V Tipo di package = DPAK (TO-252) Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Numero pin = 3

ST Microelectronics

STD86N3LH5

a partire da € 1.391,65*
per 2.500 pezzi

Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolare; -20V; -1,5A; Idm: -6A (2 offerte)

Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR Montaggio: SMD Corpo: TSOT25 Tensione drenaggio-fonte: -20V Corrente di drenaggio: -1,5A Resistenza nello stato di conduzione: 0,34Ω Tipo del transistor: P-MOSFET + S...

ROHM Semiconductor

QS5U26TR

a partire da € 0,13*
per pezzo

Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolare; -20V; -1,5A; Idm: -6A (2 offerte)

ROHM Semiconductor

QS5U21TR

a partire da € 0,148*
per pezzo

Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -20V; -0,6A; 0,3W (1 offerta)

Produttore: ONSEMI Montaggio: SMD Corpo: SC70-6;SOT363;SC88 Tensione drenaggio-fonte: -20V Corrente di drenaggio: -0,6A Resistenza nello stato di conduzione: 0,8Ω Tipo del transistor: P-MOSFET x2 P...

onsemi

FDG6308P

a partire da € 0,166*
per pezzo

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 21 mΩ, 7,5 A, SO-8, Montaggio superficiale (1 offerta)

Questo MOSFET di potenza è lultimo sviluppo di STMicroelectronis esclusivo processo a striscia ″Single Feature Size™″. Il transistore risultante presenta una densità di impaccamento estremamente el...

ST Microelectronics

STS7NF60L

a partire da € 2.025,85*
per 2.500 pezzi

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