MOSFET  (24.033 offerte tra 5.611.414 articoli)

Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 320 mA Gamma di prodotti Trench Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin...

Tensione di test di Rds(on) 20 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.04 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 4 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N S...

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™. I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché fornisco...

Tensione di test di Rds(on) 8 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.045 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Trans...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1 ohm Gamma di prodotti Trench Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montag...

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fatto...

Tensione di test di Rds(on) 20 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.08 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 3 - 168 ore Numero di pin 3 Pin Configurazione modul...

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™. I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS ™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratt...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.092 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Montaggio Tran...

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 2.2 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio sup...

MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di ...

Tensione di test di Rds(on) 20 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.75 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N S...

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon. La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fatto...