MICROCHIP MSC080SMA120S MOSFET, SIC, CAN N, 1.2KV, 35A, TO-268

Tensione di test di Rds(on) 20 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.08 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 3 - 168 ore Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 35 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-268 (D3PAK) Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 182 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)