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Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 61 A, Pin a pressione Case 180BF (senza piombo e alogenuro) (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 61 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 186 W

onsemi

NXH100B120H3Q0PG

a partire da € 124,086*
per pezzo

Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, PG-TO247-3 (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG-TO247-3

Infineon

IKW40N65RH5XKSA1

a partire da € 5,047*
per pezzo

Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (2 offerte)

Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3

Infineon

IGW50N65F5FKSA1

a partire da € 2,37*
per pezzo

Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1

Semikron

SKM400GAL12F4

a partire da € 152,592*
per pezzo

Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 75 A, Q0PACK - contenitore 180AB (senza piombo e alogenuro) (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 188 W

onsemi

NXH80T120L3Q0S3G

a partire da € 67,356*
per pezzo

Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (3 offerte)

Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3

Infineon

IKW50N65F5FKSA1

a partire da € 2,11*
per pezzo

Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3

Infineon

IKW50N65H5FKSA1

a partire da € 3,162*
per pezzo

Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1 Configurazione = Half Bridge

Semikron

SKM400GB12F4

a partire da € 216,939*
per pezzo

Modulo IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 35 A, canale N, DIP26 (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 35 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20.0V Numero di transistor = 6 Tipo di package = DIP26 Tipo di montaggio...

onsemi

NXH35C120L2C2SG

a partire da € 81,592*
per pezzo

Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1

Semikron

SKM100GAL12F4

a partire da € 482,78*
per 8 pezzi

Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 274 W Tipo di package = PG-TO247-3

Infineon

IKW50N65SS5XKSA1

a partire da € 219,24*
per 30 pezzi

Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 422 A, canale N, SEMITRANS3 (1 offerta)

Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...

Semikron

SKM300GB12E4

a partire da € 162,977*
per pezzo

Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1

Semikron

SKM100GAR12F4

a partire da € 481,804*
per 8 pezzi

Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge

Semikron

SKM100GB12F4

a partire da € 643,068*
per 8 pezzi

Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 395 W Tipo di package = PG-TO247-3

Infineon

IKW75N65SS5XKSA1

a partire da € 267,8601*
per 30 pezzi

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