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IGBT, 1.2kV, 90A, TO-247AD (3 offerte) Nome del prodotto=IGBT, Tipo=IXYH40N120C3, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=3.5 V, Corrente di collettore continua (Ic)=90 A, Corrente di dispersione emettitore=100 nA,... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 100 A, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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IGBT, 1.7kV, 80A, SOT-227B (3 offerte) Nome del prodotto=IGBT, Tipo=IXYN30N170CV1, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=4 V, Corrente di collettore continua (Ic)=80 A, Corrente di dispersione emettitore=100 nA, ... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 30 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 16 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 90 A, canale N, TO-247 (3 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 188 A, canale N, TO-264 (1 offerta) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 96 A, canale N, TO247AC (1 offerta) IGBT singolo oltre 21 A, Infineon. IGBT ottimizzato progettato per applicazioni di media frequenza, con una risposta rapida che fornisce all'utente la massima efficienza disponibile. Sfrutta diodi ... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, TO-247 (1 offerta) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, TO-247 (3 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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