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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, SOT-227B


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-8047616
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXDN55N120D1
EAN/GTIN:
     5059041489003
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
SMD transistor
Transistor SMD
IGBT Discreti, IXYS
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
100 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
450 W
Tipo di package:
SOT-227B
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tipo di canale:
N
Numero pin:
4
Velocità di switching:
1MHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
38.2 x 25.07 x 9.6mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Minima temperatura operativa:
-40 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, smd transistor, 8047616, Semiconduttori, Discreti, IGBT, IXYS, IXDN55N120D1
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Accessori
Murata
MGJ3T12150505MC-R7
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