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Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Configurazione = Single
Infineon
IKW75N65RH5XKSA1
a partire da € 207,45*
per 30 pezzi
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 395 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65RH5XKSA1
a partire da € 7,489*
per pezzo
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 395 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65SS5XKSA1
a partire da € 267,9402*
per 30 pezzi
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Configurazione = Single
Infineon
IKW75N65SS5XKSA1
a partire da € 9,429*
per pezzo
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65RH5XKSA1
a partire da € 5,957*
per pezzo
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 274 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65SS5XKSA1
a partire da € 220,3002*
per 30 pezzi
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65SS5XKSA1
a partire da € 7,776*
per pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 75 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM75GB12F4
a partire da € 547,938*
per 8 pezzi
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 75 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM75GB12F4
a partire da € 55,546*
per pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM400GAL12F4
a partire da € 2.249,11008*
per 12 pezzi
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM400GAL12F4
a partire da € 152,232*
per pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM400GAR12F4
a partire da € 2.249,08008*
per 12 pezzi
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM400GAR12F4
a partire da € 151,75*
per pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM400GB12F4
a partire da € 3.218,76804*
per 12 pezzi
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM400GB12F4
a partire da € 217,499*
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