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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 50 A, D2PAK (TO-263) (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = D2PAK (TO-263) Numero pin...
ST Microelectronics
STGB30H65DFB2
a partire da € 1,17*
per pezzo
 
 pezzi
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO220-3 (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 187 W Tipo di package = PG-TO220...
Infineon
IGP30N60H3XKSA1
a partire da € 1,18*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3 (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30 V Dissipazione di potenza massima = 105 W Tipo di package = PG...
Infineon
IKB15N65EH5ATMA1
a partire da € 1,199*
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 pezzo
IGBT STMicroelectronics, VCE 425 V, IC 25 A, canale N, DPAK (TO-252) (2 offerte) 
ESBT discreti, ST Microelectronics
ST Microelectronics
STGD19N40LZ
a partire da € 1,202*
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 pezzo
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 26 A, PG-TO263-3 (1 offerta) 
Transistor bipolare a gate isolato a bassa perdita Infineon con tecnologia fieldstop.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa interferenza elettromagnetica
Infineon
IGB15N60TATMA1
a partire da € 1,204*
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 pezzi
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 41 A, PG-TO263-3 (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 41 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 166 W Tipo di package = PG-TO263...
Infineon
IKB20N60TATMA1
a partire da € 1,23*
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 pezzo
IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, TO-220FP (3 offerte) 
ESBT discreti, ST Microelectronics
ST Microelectronics
STGF20H60DF
a partire da € 1,23*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, PG-TO-220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 170 W Tipo di package = PG-TO-22...
Infineon
IKP20N60H3XKSA1
a partire da € 1,236*
per pezzo
 
 pezzi
Infineon IKA08N65H5XKSA1 (1 offerta) 
IGBT
Infineon
IKA08N65H5XKSA1
a partire da € 1,241*
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 pezzi
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, canale N, TO-247 (3 offerte) 
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS...
Infineon
IKW20N60H3FKSA1
a partire da € 1,25*
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 pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 60 A, PG-TO247-3 (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 176 W Tipo di package = PG-TO247-3...
Infineon
IHW30N65R5XKSA1
a partire da € 1,26*
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 pezzo
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 23 A, canale N, TO-220AB (1 offerta) 
IGBT singolo fino a 20 A, Infineon. IGBT ottimizzati progettati per applicazioni di media frequenza, con una risposta rapida che fornisce all'utente la massima efficienza disponibile. Questi dispos...
Infineon
IRG4BC30WPBF
a partire da € 1,263*
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 pezzo
IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 60 A, canale N, TO-247 (3 offerte) 
ESBT discreti, ST Microelectronics
ST Microelectronics
STGW20NC60VD
a partire da € 1,28*
per pezzo
 
 pezzo
Infineon IGB20N65S5ATMA1 (1 offerta) 
IGBT
Infineon
IGB20N65S5ATMA1
a partire da € 1,283*
per pezzo
 
 pezzi
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 65 A, PG-TO247-3 (2 offerte) 
Infineon IHW30N65R6 è un IGBT da 650 V, 30 A con diodo integrato monoliticamente in contenitore TO-247 con diodo integrato monoliticamente progettato per soddisfare i requisiti più esigenti di appl...
Infineon
IHW30N65R6XKSA1
a partire da € 1,31*
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