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IGBT STMicroelectronics, VCE 425 V, IC 25 A, canale N, DPAK (TO-252)


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N. Articolo:
     3369E-7919330
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STGD19N40LZ
EAN/GTIN:
     5059042071795
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
ESBT discreti, ST Microelectronics
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
25 A
Tensione massima collettore emitter:
425 V
Tensione massima gate emitter:
±16V
Dissipazione di potenza massima:
125 W
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
1MHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 7919330, Semiconduttori, Discreti, IGBT, STMicroelectronics, STGD19N40LZ
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Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 9 → 18 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
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Accessori
Dissipatore Fischer Elektronik 23 x 13 x 10mm, 25K/W
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FK 244 13 D PAK
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