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Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 200 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM200GB12F4
a partire da € 2.127,618*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 104 A, TO-247GE (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 104 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 288 W Tipo di package = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65DGC13
a partire da € 2.112,462*
per 600 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 600 A, canale N, 62 mm (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 600 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = 62 mm Tip...
Infineon
FF600R12KE4EBOSA1
a partire da € 2.083,84*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 4500 V, IC 1,8 kA, AG-IHVB190 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 1,8 kA Tensione massima collettore emitter = 4500 V Dissipazione di potenza massima = 4000 kW Tipo di package = AG-IHVB190
Infineon
FZ1800R45HL4S7BPSA1
a partire da € 1.993,68*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 200 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Numero di transistor = 6
Infineon
FS150R12KT3BOSA1
a partire da € 1.975,03*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 5 A, canale N, DIP (1 offerta) 
Lon Semiconductor NFAM0512L5BT è un modulo di alimentazione inverter completamente integrato da− costituito da un driver gate high side indipendente, LVIC, sei IGBT e un sensore di temperatura (ter...
onsemi
NFAM0512L5BT
a partire da € 1.940,3001*
per 90 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 4500 V, IC 1,8 kA, AG-IHVB190 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 1,8 kA Tensione massima collettore emitter = 4500 V Dissipazione di potenza massima = 4000 kW Tipo di package = AG-IHVB190
Infineon
FZ1800R45HL4BPSA1
a partire da € 1.897,068*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 1700 V, IC 1,8 kA, canale N, AG-PRIME3+ (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 1,8 kA Tensione massima collettore emitter = 1700 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 1,8 kW Tipo di package = AG-PRIM...
Infineon
FF1800R17IP5BPSA1
a partire da € 1.891,47*
per 2 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Mitsubishi Electric, VCE 1200 V, IC 450, canale N, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 450 Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 20V Numero di transistor = 2 Configurazione = Dual Tipo di montaggio = Mo...
Mitsubishi
CM450DY-24T 300G
a partire da € 1.858,73*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Mitsubishi Electric, VCE 1200 V, IC 50, canale N, Modulo (1 offerta) 
Il modulo di potenza intelligente 1200V Mitsubishi Electric è dotato di IGBT ad alte prestazioni e ad alta affidabilità con sei driver per modulo. È dotato di 50 A di corrente di collettore continu...
Mitsubishi
PM50CG1B120300G
a partire da € 1.851,06*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 385 W
Infineon
FP75R12KT4B11BOSA1
a partire da € 1.817,64*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 100 A, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 355 W Tipo di package = Modulo...
Infineon
FS75R12KT3GBOSA1
a partire da € 1.808,24*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 150 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM150GB12F4G
a partire da € 1.802,66208*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, EconoPIM (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 7 Tipo di package = EconoPIM
Infineon
FP75R12KT4BOSA1
a partire da € 1.798,93*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 1700 V, IC 1,5 kA, canale N, PRIME3+ (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 1,5 kA Tensione massima collettore emitter = 1700 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = PRIME3+ ...
Infineon
FF1500R17IP5BPSA1
a partire da € 1.769,138*
per 2 pezzi
 
 pacchetto
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