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Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 200 A


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2445403
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FS150R12KT3BOSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Transistor
Corrente massima continuativa collettore = 200 A
Tensione massima collettore emitter = 1200 V
Tensione massima gate emitter = +/-20V
Numero di transistor = 6
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
200 A
Tensione massima collettore emitter:
1200 V
Tensione massima gate emitter:
+/-20V
Dissipazione di potenza massima:
700 W
Numero di transistor:
6
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, Transistori, Transistore, transistor di potenza, 2445403, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FS150R12KT3BOSA1
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