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Infineon 1ED44175N01BXTSA1 |
a partire da € 0,44*
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a partire da € 0,467*
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a partire da € 0,473*
per pezzo |
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ST Microelectronics STGD5H60DF |
a partire da € 0,476*
per pezzo |
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a partire da € 0,478*
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a partire da € 0,488*
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a partire da € 0,491*
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 4 A, TO-251 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 4 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20.0V Dissipazione di potenza massima = 42 W Tipo di package = TO-251 |
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a partire da € 0,495*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 7,5 A, PG-SOT223-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 7,5 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 6,8 W Tipo di package = PG-SOT223-3 |
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a partire da € 0,504*
per pezzo |
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ST Microelectronics STGP6NC60HD |
a partire da € 0,505*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 20 A, canale N, PG-TO252 (2 offerte) Infineon IKD03N60RF offre una maggiore affidabilità grazie allIGBT e diodo integrati monoliticamente grazie a un minor numero di cicli termici durante la commutazione. Ha prestazioni di commutazion... |
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a partire da € 0,507*
per pezzo |
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IGBT, canale N, PG-TISON-8 (1 offerta) Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 2,5 W Configurazione = Dual Tipo di montaggio = Su foro Tipo di canale = N Numero pin = 8 |
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a partire da € 0,515*
per pezzo |
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a partire da € 0,522*
per pezzo |
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a partire da € 0,524*
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IGBT Bourns, VCE 600 V, IC 5 A, TO-252 (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 5 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 82 W Tipo di package = TO-252 |
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a partire da € 0,533*
per pezzo |
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