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IGBT Bourns, VCE 600 V, IC 5 A, TO-252


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N. Articolo:
     3369E-2533499
Produttore:
     Bourns
N. Art. Produtt.:
     BIDD05N60T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 5 A
Tensione massima collettore emitter = 600 V
Tensione massima gate emitter = ±30V
Dissipazione di potenza massima = 82 W
Tipo di package = TO-252
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
5 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±30V
Dissipazione di potenza massima:
82 W
Numero di transistor:
1
Configurazione:
Diodo singolo
Tipo di package:
TO-252
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 2533499, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Bourns, BIDD05N60T
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