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INFINEON AIGB30N65F5ATMA1 TRANSISTOR, IGBT, 650V, 55A, TO-263


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3582431
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     AIGB30N65F5ATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Gamma di prodotti TRENCHSTOP 5 Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.6 V Corrente di collettore continua 55 A Numero di pin 3 Pin Dissipazione di potenza 188 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT)
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Semiconduttori, Singoli, INFINEON, AIGB30N65F5ATMA1, 3582431, 358-2431
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