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Articolo
SOLID STATE 2N6661 MOSFET, CA-N, 90V, 0,9A, TO-205AF
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-2630600
Produttore:
Solid State
N. Art. Produtt.:
2N6661
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 3 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 900 mA Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-205AF Tensione Drain Source Vds 90 V Dissipazione di potenza 6.25 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Singoli
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2630600
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263-0600
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