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IXYS SEMICONDUCTOR IXGA30N120B3 IGBT,1200V,30A,TO-263


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-1829739
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXGA30N120B3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Transistore
Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Massima tensione Collettore-Emettitore 1.2 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 3.5 V Corrente di collettore continua 60 A Numero di pin 3 Pin Dissipazione di potenza 300 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT)
Altri termini di ricerca: transistor igbt, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Semiconduttori, Singoli, IXYS SEMICONDUCTOR, IXGA30N120B3, 1829739, 182-9739
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Accessori
Nel nostro assortimento sono presenti i seguenti accessori:
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Accessori
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Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 4,5 → 9 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ3T05150505MC-R7
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Accessori
Driver gate MOSFET MC33153DG, CMOS, 1 A, 2 A, 20V, SOIC, 8-Pin
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