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Array di transistor, Darlington NPN SOIC-16


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N. Articolo:
     7ZX53-30240410
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     ULN2003ADR2G
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor Darlington
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Nome del prodotto=Array di transistor, Darlington, Tipo=ULN2003ADR2G, Altezza=1.75 mm, Canali=7, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=1.6 V, Corrente di collettore continua (Ic)=500 mA, Dissipazione di potenza (Pd)=-999, Guadagno di corrente CC (hFE)=1000, Larghezza=4 mm, Lunghezza=10 mm, Pin=16, Resistenza di ingresso tipica=2.7 kΩ, Temperatura di esercizio, max.=85 °C, Temperatura di esercizio, min.=-20 °C, Temperatura riflusso max.=260 °C, Tensione base-emettitore (Vebo)=-999, Tensione collettore base (Vcbo)=-999, Tensione di saturazione emettitore di base max. (Vbe(sat))=-999, Tensione tra il collettore e l'emettitore (Vceo)=-999, Confezione=Nastro e bobina, MSL=Livello-1, Polarità transistore=NPN, Tipo di montaggio=SMD, Tipo di pacchetto=SOIC-16
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, Array transistor, Array vettore, transistori npn, smd transistor, Array di transistor, Darlington
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