ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti MJ11016G TO-3 Numero canali 1 NPN - Darlington

Transistore di potenza Darlington

dati tecnici:
Caratteristiche (transistor): NPN - Darlington · Case: TO-3 · Collettore di corrente I(C): 30 A · Compatibile RoHS: Sì · Corrente di dispersione di collettore I(CES): 1 mA · Fabbricante: ON Semiconductor · Frequenza di transizione f(T): 4 MHz · Guadagno di corrente DC (hFE): 1000 · Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento: 20 A · Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento: 5 V · Metodo di montaggio: Foro passante · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 200 W · Saturazione VCE (max.): 4 V · Sigla produttore (componenti): OnS · Tensione emissione collettore U(CEO): 120 V · Tipo (tipo di produttore): MJ11016G · Tipo transistor (categorizzazione): Transistor (BJT) - discreti