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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB
N. Articolo:
     5068-YJ2N65CZ-YAN
Produttore:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N. Art. Produtt.:
     YJ2N65CZ
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: YANGJIE TECHNOLOGY
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 2A
Resistenza nello stato di conduzione: 4,7Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 54W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 14nC
Spessore del radiatore: max. 1,33mm
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 8A
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