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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 40V; 5,2A; Idm: 8A; 3W; SOP8


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SH8K25GZ0TB
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     SH8K25GZ0TB
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SOP8
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 5,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 112mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 3W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Carico della porta: 1,7nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: 8A
Riepilogo condizioni1
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