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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 30V; 1A; Idm: 4A; 1,25W; TSMT6


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-QS6K1TR
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     QS6K1TR
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: TSMT6
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 1A
Resistenza nello stato di conduzione: 364mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 1,25W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Carico della porta: 1,7nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: 4A
Riepilogo condizioni1
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