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Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolare; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolare; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W
Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolare; 100V; 22A; Idm: 66A; 35W
N. Articolo:
     5068-P22F10SN-5600
Produttore:
     SHINDENGEN
N. Art. Produtt.:
     P22F10SN-5600
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: SHINDENGEN
Montaggio: THT
Corpo: FTO-220AG (SC91)
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 22A
Resistenza nello stato di conduzione: 28mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 35W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: sciolto
Carico della porta: 34nC
Tecnologia: EETMOS3
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 66A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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