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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 55A; 625W; TO264
N. Articolo:
     5068-IXBK55N300
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXBK55N300
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO264
Tensione collettore-emettitore: 3kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 55A
Corrente del collettore nel impulso: 600A
Tempo d'avvio: 637ns
Tempo d'interruzione: 475ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 625W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: alta tensione
Carico della porta: 335nC
Tecnologia: BiMOSFET™
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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