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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 75V; 350A; 520W; TO247AC


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-IRFP4368PBFXKMA1
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFP4368PBFXKMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: THT
Corpo: TO247AC
Tensione drenaggio-fonte: 75V
Corrente di drenaggio: 350A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,8mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 520W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 380nC
Tecnologia: HEXFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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