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Transistor: N/P-MOSFET; unipolare; 20/-20V; 0,63/-0,46A; 0,53W


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-DMG1016V-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMG1016V-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: SOT563
Tensione drenaggio-fonte: 20/-20V
Corrente di drenaggio: 0,63/-0,46A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,4/0,7Ω
Tipo del transistor: N/P-MOSFET
Potenza dissipata: 0,53W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±6V
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