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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolare; 500V; 32A; Idm: 128A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolare; 500V; 32A; Idm: 128A
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolare; 500V; 32A; Idm: 128A
N. Articolo:
     5068-APT5015BVRG
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     APT5015BVRG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione drenaggio-fonte: 500V
Corrente di drenaggio: 32A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,15Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 370W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 300nC
Tecnologia: POWER MOS 5®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 128A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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