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Transistor: IGBT; 650V; 50A; 188W; TO247; Eoff: 0,85mJ; Eon: 1,92mJ


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; 650V; 50A; 188W; TO247; Eoff: 0,85mJ; Eon: 1,92mJ
Transistor: IGBT; 650V; 50A; 188W; TO247; Eoff: 0,85mJ; Eon: 1,92mJ
N. Articolo:
     5068-AOK50B65H1
Produttore:
     Alpha & Omega Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     AOK50B65H1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±30V
Tensione di saturazione coll-emett.: 1,9V
Corrente del collettore: 50A
Corrente del collettore nel impulso: 150A
Tempo d'avvio: 111ns
Tempo d'interruzione: 206ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 188W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 76nC
Energia di attivazione: 1,92mJ
Energia disattivazione: 0,85mJ
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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