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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 150 A, TO-247


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N. Articolo:
     3369E-7545395
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IGW75N60TFKSA1
EAN/GTIN:
     5059043713779
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido. Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 600 a 650 V VCEsat molto bassa Poche perdite di spegnimento Bassa corrente di coda EMI ridotte Temperatura di giunzione massima: 175 °C
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
150 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
428 W
Tipo di package:
TO-247
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
16.13 x 21.1 x 5.21mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-40 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 7545395, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IGW75N60TFKSA1
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 3369
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Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati.
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