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MOSFET DiodesZetex, canale P, 10,2 mΩ, 12 A, SOIC, Montaggio superficiale


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-7514102
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMG4413LSS-13
EAN/GTIN:
     5059043934235
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET a canale P, 30 V, Diodes Inc
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
12 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SOIC
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
10,2 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.1V
Dissipazione di potenza massima:
2,2 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
4.95mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 7514102, Semiconduttori, Discreti, DiodesZetex, DMG4413LSS13
Riepilogo condizioni1
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Accessori
Nel nostro assortimento sono presenti i seguenti accessori:
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Prezzo
Accessori
Trasformatore di corrente EPCOS, ingresso 20A, 20:1
Epcos
B82801B0205A100
a partire da € 5,01*
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