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MOSFET onsemi, canale N, 10 mΩ, 12 A, SOIC, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-6710542
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDS5672
EAN/GTIN:
     5059042040128
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
mosfet 12a
transistor di potenza
MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
12 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOIC
Serie:
PowerTrench
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
10 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
2,5 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 6710542, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDS5672
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Accessori
Nel nostro assortimento sono presenti i seguenti accessori:
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Prezzo
Accessori
Trasformatore di corrente EPCOS, ingresso 20A, 20:1
Epcos
B82801B0205A100
a partire da € 1,01*
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