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Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 95 A, ACEPACK 2


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2591503
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FS75R07W2E3B11ABOMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Transistor
Corrente massima continuativa collettore = 95 A
Tensione massima collettore emitter = 650 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Dissipazione di potenza massima = 275 W
Tipo di package = ACEPACK 2
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
95 A
Tensione massima collettore emitter:
650 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
275 W
Configurazione:
Array 6
Tipo di package:
ACEPACK 2
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, Transistori, Transistore, Array transistor, Array vettore, transistor di potenza, 2591503, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, FS75R07W2E3B11ABOMA1
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