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MOSFET Toshiba, canale N, 2,89e+008 Ω, 3,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2363574
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     SSM3K329R,LF(T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 3,5 A
Tensione massima drain source = 30 V
Tipo di package = SOT-23
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 2,89e+008 Ω
Tensione di soglia gate massima = 1V
Numero di elementi per chip = 1
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
3,5 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SOT-23
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
2,89e+008 Ω
Tensione di soglia gate massima:
1V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: 2363574, Semiconduttori, Discreti, Toshiba, SSM3K329R,LF(T
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