Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-2104949 N. Art. Produtt.:
SKM300GB12T4 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Il modulo IGBT rapido 4 Semikron Semitrans 3 appartiene alla generazione IGBT4 che può essere la scelta preferita per applicazioni quali saldatrici elettroniche a frequenze di commutazione fino a 20 kHz, inverter c.a. e UPS. Il chipset fornisce una piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia DBC (rame legato diretto) e un diodo CAL di 4 generazione a commutazione morbida integrato nel modulo.Resistenza gate integrata Maggiore capacità di ciclo di potenza e commutazione graduale Due IGBT serie Temperatura desercizio = da -40 a 150 C. Altre informazioni: | | Corrente massima continuativa collettore: | 422 A | Tensione massima collettore emitter: | 1200 V | Tensione massima gate emitter: | 20V | Numero di transistor: | 2 | Configurazione: | Dual | Tipo di montaggio: | Montaggio a pannello | Tipo di canale: | N | Configurazione transistor: | Dual Half Bridge (DHB) |
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| Altri termini di ricerca: 2104949, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Semikron Danfoss, SKM300GB12T4 |
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