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MOSFET Toshiba, canale N, 0,09 Ω, 30 A, DFN8x8, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-2069730
Produttore:
     Toshiba
N. Art. Produtt.:
     TK099V65Z,LQ(S
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET
MOSFET a canale N in silicio Toshiba con proprietà di commutazione ad alta velocità con capacità inferiore. È usato principalmente negli alimentatori switching.Bassa resistenza allaccensione drain-source 0,08 ? Temperatura di conservazione da -55 a 150 °C.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
30 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
DFN8x8
Serie:
TK099V65Z
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
5
Resistenza massima drain source:
0,09 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Numero di elementi per chip:
1
Materiale del transistor:
Silicone
Altri termini di ricerca: 2069730, Semiconduttori, Discreti, Toshiba, TK099V65Z,LQ(S
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